下载APP
刷刷题APP > 锗晶体管
"锗晶体管"相关考试题目
1.
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高
2.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压 U BE 分别为
3.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压U BE 大约为 V 和 V。
4.
已知某锗晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为( )。
5.
硅晶体管的饱和电压降为()，锗晶体管的饱和电压降为()。
6.
硅晶体管发射结的导通电压大小约为( )V,锗晶体管发射结电压大小约为( )V。
7.
与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（ ）。
8.
锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________
9.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为()V和()V。
10.
双极型晶体管电路如下图所示,假定锗晶体管工作在放大状态,已知ICQ为3mA。计算:(1) 晶体管的IBQ。(2) 电流的放大系数β。(3) 晶体管的UCEQ。(锗晶体管的开启电压UBE(on)取0.3V)
11.
与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___
12.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压U BE 大约为 V 和 V。
13.
年，贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿三人合作发明了具有放大作用的锗晶体管，导致了世界上第一只晶体管的诞生。
14.
锗晶体管的导通压降约 |UBE|为( )
15.
晶体管的穿透电流 ICEO 随温度的升高而增大,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管 , 所以硅晶体管的 比锗晶体管好。
16.
对于锗晶体管来说其死区电压约为_________。
17.
第一个锗晶体管是（）年发明
18.
1958年9月，美国德州仪器公司的青年工程师（），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，基于锗材料制作了一个叫做相移振荡器的简易集成电路。他因此获2000年诺贝尔物理学奖。
19.
晶体管的穿透电流I CEO 随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管 （ ），所以硅晶体管的（ ）比锗晶体管好。
20.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
21.
处于放大状态的PNP型锗晶体管的三个电极对地电位关系满足（）。
22.
锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压 UBE=___V。
23.
锗晶体管的导通压降约|UBE|为
24.
硅晶体管发射结的导通电压约为()，锗晶体管发射结的导通电压约为()。
25.
晶体管输入特性曲线中有一个“死区”, NPN 型硅晶体管的死区电压 UT 约为 , 发射结导通电压 Ube 为 ;锗晶体管的死区电压 UT 约为 ,发射结 导通电压 Ube 为 。
26.
锗晶体管的导通压降约|UBE|为( )。
27.
硅晶体管和锗晶体管都有PNP和NPN型两种类型。
28.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
29.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压 U BE 分别为 0.7 V 和 V 。
30.
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________
31.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为 V和 V。
32.
1958年9月，美国德州仪器公司的青年工程师（），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，基于锗材料制作了一个叫做相移振荡器的简易集成电路。他因此获2000年诺贝尔物理学奖。
33.
晶体管的穿透电流I CEO 随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管 （ ），所以硅晶体管的（ ）比锗晶体管好。
34.
为使下图电路中的锗晶体管工作在临界饱和状态( U CE =-0.3V ), R C 应取值为 多少KΩ(保留1位小数)?
35.
为使下图电路中的锗晶体管工作在临界饱和状态( U CE =-0.3V ), R C 应取值为 KΩ(保留1位小数)?
36.
与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___
37.
锗晶体管的导通压降约|UBE|为
38.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压 U BE分别为0.3 V和0.7V左右。
39.
锗晶体管的导通压降|UBE|约为。
40.
为使下图电路中的锗晶体管工作在临界饱和状态( U CE =-0.3V ), R C 应取值为 KΩ(保留1位小数)? 说明:单位已有,只填数字,否则算错误答案。
41.
硅晶体管和锗晶体管都有PNP型和NPN型两类型( )
42.
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为 V至 V和 V至 V。
43.
与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（ ）。
44.
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能( )。
45.
一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)大于锗晶体管的死区电压( )
46.
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能
47.
与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。
