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"界面态"相关考试题目
1.
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
2.
界面态密度随晶体取向而变，对于硅晶体，界面态密度按（）顺序而变。
3.
快界面态在禁带中的分布形状是()型分布。
4.
若在禁带中心E存在单能级的快界面态(即Et=Ei)，其密度为Nstcm-2。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布，试证明界面态电容Css(Vs)为式中
5.
会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于（ ）。
6.
半导体表面形貌越规整，其引入的界面态则越多。
7.
Si-SiO2界面态都是由悬挂键及晶格失配所引起的。（）
8.
在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中可动电荷。
9.
P型半导体构成的MIS结构，若，假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。
10.
界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
11.
施主型界面态主要是由 引起的，受主型界面态主要是由 引起的（）。
12.
不同（）的硅片，它的化学、电学、和机械性质都（），这会影响最终的（）。例如（），界面态等。
13.
[名词解释] 界面态
14.
界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
15.
为了克服High-K介质与硅的界面态问题，在硅和High-K介质之间插入什么作为过渡层？（请用汉字作答） __
16.
在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
17.
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
18.
栅氧层中的界面态电荷一般是以( )电荷的形式存在
19.
CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
20.
在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。
21.
P型半导体的界面态是（ ）。
22.
Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（ ）。
23.
为了减少固定电荷密度和快界面态的影响，制作MOS器件通常选择硅单晶的方向为（）
24.
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
25.
以下除了（），其它方法都可以有效降低界面态密度。
26.
若在禁带中心E存在单能级的快界面态(即E t =E i )，其密度为N st cm -2 。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布，试证明界面态电容C ss (V s )为 式中
27.
快界面态可以在很短时间内和半导体交换电荷，它位于（）。
28.
界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
29.
在异质结的界面处引入界面态的主要原因是？
30.
在异质结界面处出现的悬挂键会引起界面态,界面态的密度依赖于晶格常数的差别和界面的晶体取向。( )
31.
界面态会降低肖特基势垒的高度。
32.
界面态
33.
什么是界面态？怎样减少界面态的影响？什么是“胖零”工作模式？为什么SCCD要采用“胖零”工作模式？
34.
已知肖特基二极管的下列参数：=5.0V，χs=4.05eV，Nc=1019cm-3Nd=1015cm-3，εr=11.9．假设界面态密度是可以忽略的，在300K时计算下列问题：
35.
快界面态在禁带中的分布形状是()型分布。
36.
在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
37.
已知肖特基二极管的下列参数：=5.0V，χs=4.05eV，Nc=1019cm-3Nd=1015cm-3，εr=11.9．假设界面态密度是可以忽略的，在300K时计算下列问题：
38.
P型半导体构成的MIS结构，若Wm>Ws假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。
39.
当界面态密度很大，且为受主态时，pn、np异质结的能带结构分别为？
40.
不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？
41.
在异质结的界面处引入界面态的主要原因是?
