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【简答题】

界面态对肖特基势垒高度有什么影响?

题目标签：势垒高度肖特基势垒界面态
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【多选题】下列影响pn结势垒高度的因素包括：
A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
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【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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【单选题】快界面态可以在很短时间内和半导体交换电荷，它位于（）。
A.
Si - Si O 2 界面
B.
空气 - Si O 2 界面
C.
Si 内部
D.
Si O 2 内部
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【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
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【判断题】在异质结界面处出现的悬挂键会引起界面态,界面态的密度依赖于晶格常数的差别和界面的晶体取向。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】什么是界面态？怎样减少界面态的影响？什么是“胖零”工作模式？为什么SCCD要采用“胖零”工作模式？
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【简答题】已知肖特基二极管的下列参数：=5.0V，χs=4.05eV，Nc=1019cm-3Nd=1015cm-3，εr=11.9．假设界面态密度是可以忽略的，在300K时计算下列问题：
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【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
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