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【单选题】

为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()

A.
【100】
B.
【111】
C.
【110】
D.
【111】或【110】
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参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】无穷大平面1的面电荷密度为+σ,无穷大平面2的面电荷密度为-σ。当这两个无穷大平面平行放置时,电场强度的大小是:

A.
两平面内部是 2 σ / ε 0 ,外部是 0
B.
两平面内部是σ / ε 0 ,外部是 0
C.
两平面内部外部都是 0
D.
两平面内部外部都是±σ / ε 0