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【简答题】

在Na=1015cm-3的P型Si＜111＞衬底上制成一铝栅MOS晶体管，栅氧化层厚度为120nm，Si-SiO2界面电荷密度为3×1011cm-2．计算阈值电压．

题目标签：阈值电压电荷密度面电荷密度
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】滞回电压比较器有( )个阈值电压。
A.
0
B.
1
C.
2
D.
3
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【单选题】555 定时器构成的施密特触发器,当 5 脚接 Vco 时,两个阈值电压分别是 和 。
A.
Vco、1/2Vco
B.
Vcc、1/2Vcc
C.
1/3Vcc、2/3Vcc
D.
Vco、1/3Vco
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【简答题】半径为 R的圆盘均匀带电，面电荷密度为σ。求此圆盘轴线上的电势分布:(1)利用原书例14.8的结果用电势叠加法;(2)利用例12.10的结果用场强积分法。
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【单选题】当施密特触发器的输入信号超过阈值电压之后,其输出信号的幅值与输入信号的幅值的关系？
A.
成正比
B.
成反比
C.
无关
D.
D.
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【判断题】电子、仪表及食品等行业的防静电工作服应以防尘为标准，一般要求静电压小于1.5kV，半衰期小于10s，摩擦带电电荷密度小于7μC/㎡。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】有一半径为 R 、面电荷密度为 a 的均匀带电圆盘,绕通过圆心与盘面垂直的转轴以角速度 w 旋转,则圆盘中心处的磁感强度大小为 。(设真空磁导率为u)
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【单选题】根据以下NMOS晶体管模型代码，如果衬底接地，源极电压VS=2V，由于受背栅效应影响，可以计算得到阈值电压约为.MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04+ PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P+ CJ = 770U CJS...
A.
0.8V
B.
1.0V
C.
1.2V
D.
条件不足，无法判断
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【简答题】半径为R的实心导体球的体电荷密度为p，则在距球心3R处的电场强度大小为（）。
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【简答题】半径为a的球体中充满密度ρ（r）的体电荷，已知电位移分布为 其中A为常数，试求电荷密度ρ（r）。
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【判断题】滞回比较器和窗口比较器的阈值电压数目相同。( )
A.
正确
B.
错误
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