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【单选题】

、 检验棒样芯距离多晶硅棒的底部不低于( )mm

A.
500
B.
400
C.
300
D.
200
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参考答案:
参考解析:
.
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举一反三

【单选题】非晶硅平板

A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体

【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()

A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极