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【填空题】

列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

题目标签：场氧化层热氧化氧化层
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相关题库：集成电路工艺原理题库
参考答案：
参考解析：
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举一反三

【简答题】由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
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【判断题】铁金属表面在火灾条件下形成的氧化层易剥落。
A.
正确
B.
错误
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【填空题】测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。
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【简答题】测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。
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【单选题】FeO层大约占整个氧化层厚度的（）
A.
2%
B.
18%
C.
50%
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【多选题】发生炉出现双氧化层处理方法，正确的是（）
A.
加大鼓风量
B.
在双氧化层部位进行插钎处理，将悬空渣块捣碎
C.
局部阻力过大采用打气孔的方法加强通风
D.
适当提高饱和温度，调整灰盘转速，使之逐渐消除
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【简答题】为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？
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【简答题】[名词解释] 表面氧化层厚度
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【简答题】简述硅热氧化过程中有哪些阶段？
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【单选题】对失去氧化层的镁铝合金件必须在()h内进行氧化处理。
A.
10
B.
12
C.
24
D.
48
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