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"氧化层"相关考试题目
1.
MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
2.
氧化层厚度的测量方法主要有：（）。
3.
硫乙醇酸盐流体培养基在供试品接种前,其氧化层的高度不得超过培养基深度的( )
4.
( )接触器的铜触头的氧化层，维修时应刮除。
5.
二极管均流劣化一定是二极管与母排之间有氧化层。()
6.
硅上的自然氧化层是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗 去除。
7.
由于栅氧化层中通常带正电荷，所以（ ）发生反型。
8.
在NA=1015cm-3的p型硅<111>衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，计算MOSFET的阈值电压。
9.
固定床气化炉中提供主要热源的是氧化层。（ ）
10.
车体清洗后残留的氧化层、飞漆等建议使用下面哪种清除( )
11.
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
12.
由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
13.
铁金属表面在火灾条件下形成的氧化层易剥落。
14.
测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。
15.
简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。
16.
由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型。
17.
多发生于铸件氧化层下未经加工即暴露于表面的孔洞为
18.
在P型衬底上的CCD，Na=2×1014cm-3，氧化层厚度为150nm，电极面积为10μm×20μm．
19.
车体清洗后残留的氧化层、飞漆等建议使用下面哪种清除（）。
20.
测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。
21.
FeO层大约占整个氧化层厚度的（）
22.
氧化硅用作场效应晶体管器件栅氧化层时，具有的优点包括：（ ）
23.
下列属于形成稳定的氧化层从而起到钝化作用的方法是（）
24.
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
25.
探钎操作中，氧化层不明显，即使灰层较厚，也不能导致发生炉热运行，巡检温度超标。 （）
26.
硅上的自然氧化层是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗 去除。
27.
什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
28.
由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
29.
胶点的高度至少应大于焊盘高度和SMC/SMD端子氧化层高度。（）
30.
栅氧化层电容
31.
题2-1-5、载流子沟道在栅氧化层下形成 （），漏和源之间“导通”
32.
导体表面粗糙、有漆层或氧化层的表面导体的对流散热越强。( )
33.
发生炉出现双氧化层处理方法，正确的是（）
34.
二氧化硅的作用最关键是用于制作栅氧化层,通常厚度在1-6nm。
35.
生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？
36.
氧化层高度应控制在多少？
37.
以下不是氧化层的作用是（）
38.
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？
39.
氧化层表面的缺陷有（）。
40.
掺氯氧化为何对提高氧化层质量有作用？
41.
什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
42.
[名词解释] 表面氧化层厚度
43.
在P型衬底上的CCD，Na=2×1014cm-3，氧化层厚度为150nm，电极面积为10μm×20μm．
44.
氧化层有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。
45.
氧化处理，在基底表面生成一氧化层，其作用是
46.
列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
47.
硫乙醇酸盐流体培养基在供试品接种前,其氧化层的高度不得超过培养基深度的( )。
48.
扩散前硅片表面没有氧化层保护，不能用手接触（ ）
49.
对失去氧化层的镁铝合金件必须在()h内进行氧化处理。
50.
栅和沟道之间的氧化层电容
