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"场氧化层"相关考试题目
1.
列出热氧化物在硅片制造的4种用途()、()、场氧化层和()。
2.
场区氧化过程中场氧化层边缘形成的鸟嘴效应会侵占( )的面积,使( )变小。
3.
描述场氧化层及其厚度范围。
4.
CMOS制造工艺中用于制作场氧化层的技术为__________。
5.
LOCOS 工艺中,场氧化层是用什么方法制备的 ( )
6.
列出热氧化物在硅片制造的4种用途()、()、场氧化层和()。