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【判断题】
对于表面沟道CCD,其表面势随栅极电压的增加而增加
A.
正确
B.
错误
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题目标签：
栅极电压
表面势
表面沟道
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【简答题】表面势与哪些因素有关？
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【简答题】对于表面沟道CCD,电荷的注入方式主要有 和
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【简答题】MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
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【简答题】我们考虑一外部偏置下的MOS系统,设衬底电压V B = 0,令栅极电压为控制参数。根据V G 的极性和幅值,可以观察到MOS系统的三个不同工作区: 、 、 。看右图所示的MOS结构的能带图,判断此时的MOS管工作在 区。
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【简答题】MIS中,表面比体内电势低,其表面势()零。
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【单选题】绝缘栅双极晶体管(IGBT)导通时,其UCE的大小反应过电流的情况,一旦UCE( )某一门限值,则控制栅极电压等于或小于零就可以使IGBT实现过流保护。
A.
小于
B.
等于
C.
大于
D.
不等于
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【判断题】MIS空间电荷层内的净胜电荷与表面势同号。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】对于表面沟道CCD,其表面势随栅极电压的增加而增加
A.
正确
B.
错误
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【判断题】由于IGBT内部建立、积累导电电荷使其具有导电能力需要一定的时间,因此即使IGBT驱动器输出的栅极电压为正后,IGBT并不会立即导通,而会存在一定的开通时延。( )
A.
正确
B.
错误
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