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"栅极电压"相关考试题目
1.
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?
2.
我们考虑一外部偏置下的MOS系统,设衬底电压V B = 0,令栅极电压为控制参数。根据V G 的极性和幅值,可以观察到MOS系统的三个不同工作区: 、 、 。看右图所示的MOS结构的能带图,判断此时的MOS管工作在 区。
3.
绝缘栅双极晶体管(IGBT)导通时,其UCE的大小反应过电流的情况,一旦UCE( )某一门限值,则控制栅极电压等于或小于零就可以使IGBT实现过流保护。
4.
由于IGBT内部建立、积累导电电荷使其具有导电能力需要一定的时间,因此即使IGBT驱动器输出的栅极电压为正后,IGBT并不会立即导通,而会存在一定的开通时延。( )