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【多选题】
⑯ 干法刻蚀
A.
为平行平板反应离子刻蚀
B.
被刻蚀材料与光刻胶刻蚀速率比尽量小些好
C.
存在缺陷和污染等物理损伤，要采取措施处理
D.
要用到刻蚀液
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】湿法刻蚀与干法刻蚀的比较错误的是
A.
湿法刻蚀是各向同性的，干法刻蚀是各向异性的
B.
湿法刻蚀由于存在侧蚀现象，不宜制作很微细的图形
C.
干法刻蚀效果好，但工艺要求
D.
干法和湿法刻蚀都不存在晶体缺陷和污染等物理损伤
相关题目：
【判断题】硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸，干法刻蚀所用的气体为NF3。
A.
正确
B.
错误
【判断题】干法刻蚀工艺中不存在化学反应。( )
A.
正确
B.
错误
【判断题】干法刻蚀速率越快越好
A.
正确
B.
错误
【单选题】SCHMID刻蚀机酸洗的作用是
A.
稀释碱
B.
去PSG（磷硅玻璃）丨稀释酸丨腐蚀硅片表面
【多选题】与干法刻蚀相比湿法刻蚀的优点包括______。
A.
能去除背面的N型硅
B.
硅片洁净度提高
C.
节约用水
D.
碎片率低
【单选题】下列刻蚀方法中不属于干法刻蚀的是( )
A.
等离子刻蚀
B.
溅射刻蚀
C.
缺陷腐蚀
D.
反应离子刻蚀
【单选题】Rena刻蚀HIKUPERC的减薄量范围为（）
A.
0.15±0.04g
B.
0.3±0.05g
C.
0.8±0.05g
D.
0.5±0.08g
【单选题】湿法刻蚀与干法刻蚀的比较错误的是
A.
湿法刻蚀是各向同性的，干法刻蚀是各向异性的
B.
湿法刻蚀由于存在侧蚀现象，不宜制作很微细的图形
C.
干法刻蚀效果好，但工艺要求
D.
干法和湿法刻蚀都不存在晶体缺陷和污染等物理损伤
【单选题】Rena刻蚀边缘电阻为（）
A.
＜1KΩ
B.
＝1KΩ
C.
＞1KΩ
D.
≤1KΩ