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【简答题】
为什么加偏压的肖特基势垒能带图中q
b几乎不变.
题目标签:
加偏压
肖特基势垒
能带图
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参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【简答题】画出热平衡和加偏压的PN结能带图,根据能带图解释PN结的单向导电性.
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【单选题】图中的能带图分别代表什么材料?
A.
1、半导体,2、导体,3、绝缘体
B.
1、导体,2、绝缘体,3、半导体
C.
1、绝缘体,2、半导体,3、导体
D.
1、半导体,2、绝缘体,3、导体
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【简答题】2.为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变.
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【单选题】对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?
A.
本征状态
B.
平坦能带状态
C.
多子积累状态
D.
深耗尽状态
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【简答题】图(a)、(b)、(c)分别表示形成异质结前n型和p型材料,n型和n型材料及p型和p型三对材料的能带图。试画出形成异质结后对应异质结的能带结构。
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【单选题】在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对,在外加偏压作用下 会向 偏移,而在SiO2层中留下 ,因此在 会形成电离陷阱()。
A.
空穴,正极,电子,负极
B.
空穴,负极,电子,正极
C.
电子,正极,空穴,负极
D.
电子,负极,空穴,正极
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【填空题】若光电检测器不加偏压、则会出现()和()两大弊病。
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【简答题】硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3,N区的寿命tp=10-5s,且Wn>LP,300K下N型锗中Dp=45cm2/s,N型硅中Dp=13cm2/s,求外加偏压为-5V时,反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少?从中可以得到什么结论?
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【简答题】画出N型半导体的能带图和P型半导体的能带图。
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【单选题】对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
D.
本征状态
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