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【简答题】

2．为什么加偏压的肖特基势垒能带图中q b几乎不变．

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题目标签：加偏压肖特基势垒能带图
参考答案：
参考解析：
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举一反三

【简答题】画出热平衡和加偏压的PN结能带图，根据能带图解释PN结的单向导电性．
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【单选题】图中的能带图分别代表什么材料?
A.
1、半导体，2、导体，3、绝缘体
B.
1、导体，2、绝缘体，3、半导体
C.
1、绝缘体，2、半导体，3、导体
D.
1、半导体，2、绝缘体，3、导体
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【简答题】2．为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变．
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【单选题】对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？
A.
本征状态
B.
平坦能带状态
C.
多子积累状态
D.
深耗尽状态
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【简答题】图(a)、(b)、(c)分别表示形成异质结前n型和p型材料，n型和n型材料及p型和p型三对材料的能带图。试画出形成异质结后对应异质结的能带结构。
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【单选题】在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下 会向 偏移，而在SiO2层中留下 ，因此在 会形成电离陷阱（）。
A.
空穴，正极，电子，负极
B.
空穴，负极，电子，正极
C.
电子，正极，空穴，负极
D.
电子，负极，空穴，正极
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【填空题】若光电检测器不加偏压、则会出现（）和（）两大弊病。
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【简答题】硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3，N区的寿命tp=10-5s，且Wn＞LP，300K下N型锗中Dp=45cm2/s，N型硅中Dp=13cm2/s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？
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【简答题】画出N型半导体的能带图和P型半导体的能带图。
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【单选题】对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？
A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
D.
本征状态
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