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【简答题】
硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为N
A
=18
18
cm
-3
、N
D
=10
15
cm
-3
,N区的寿命t
p
=10
-5
s,且W
n
>L
P
,300K下N型锗中D
p
=45cm
2
/s,N型硅中D
p
=13cm
2
/s,求外加偏压为-5V时,反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少?从中可以得到什么结论?
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题目标签:
加偏压
掺杂
电流
参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】B掺杂到Si中,是受主杂质 。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】修理硫化的蓄电池极板应()再加蒸馏水,然后用小电流慢慢充电。
A.
加入硫酸
B.
倒出电解液
C.
加入汽油
D.
加入盐酸
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【简答题】电流在数值上等于____________________________________和_________________________的比值。用公式表示为_________________________。
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【单选题】下列有关体掺杂型太阳能电池说法错误的是?( )
A.
混合层中给体和受体材料的比例与活性层中两相的相分离大小有关
B.
干燥时间不同对电池的特性有影响
C.
一般常用的阳极材料为Al
D.
溶剂的挥发性对电池性能有很大的影响
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【简答题】2.为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变.
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【单选题】硅片中磷扩散进行掺杂的原料是()。
A.
PH
3
B.
PH
5
C.
POCl
3
D.
B
2
O
3
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【判断题】二极管的反向饱和电流越大越好。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】日本的白川英树、美国的马克迪尔米德和艾伦•黑格尔,由于发现了掺杂聚乙炔具有良好导电性而共同获得2000年诺贝尔化学奖.以下关于聚乙炔的叙述错误的是( )
A.
单体为不饱和烃
B.
聚乙炔的分子中含有碳碳双键
C.
聚乙炔的相对分子量为26
D.
聚乙炔可用于生产导电橡胶
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【单选题】对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
D.
本征状态
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【单选题】新《商检法》的规定,进口或出口属掺杂掺假、以假充真、以次充好的商品或者以不合格进出口商品冒充合格进出口商品的,商检机构可责令停止进口或出口,没收违法所得,并处 ( )的罚款。
A.
违法所得两倍以上三倍以下
B.
违法所得百分之五十以上三倍以下
C.
货物总值金额两倍以上三倍以下
D.
货物总值金额百分之五十以上三倍以下
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