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【简答题】

硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3,N区的寿命tp=10-5s,且Wn>LP,300K下N型锗中Dp=45cm2/s,N型硅中Dp=13cm2/s,求外加偏压为-5V时,反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少?从中可以得到什么结论?

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题目标签:加偏压掺杂电流
参考答案:
参考解析:
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举一反三

【单选题】下列有关体掺杂型太阳能电池说法错误的是?( )

A.
混合层中给体和受体材料的比例与活性层中两相的相分离大小有关
B.
干燥时间不同对电池的特性有影响
C.
一般常用的阳极材料为Al
D.
溶剂的挥发性对电池性能有很大的影响