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【单选题】
若一长沟道NMOSFET,将其沟道长度缩小为原来的一半(不考虑短沟道效应),而其他尺寸,掺杂浓度,外加偏压均保持不变,则下列说法错误的是
A.
阈值电压不变
B.
饱和漏电流增加
C.
导通电阻变小
D.
最高振荡频率变小
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下 会向 偏移，而在SiO2层中留下 ，因此在 会形成电离陷阱（）。
A.
空穴，正极，电子，负极
B.
空穴，负极，电子，正极
C.
电子，正极，空穴，负极
D.
电子，负极，空穴，正极