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【简答题】
试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱:
(a)5MeV入射α粒子,探测器的耗尽深度大于α粒子的射程。
(b)5MeVα粒子,探测器的耗尽深度为α粒子射程之半。
(c)情况同(a),但5MeVα粒子已经经过一块吸收体,其厚度等于该物质中α射程的一半。
题目标签:
微分脉冲
粒子射程
面垒探测器
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【简答题】就统计学特性而言,PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题,一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少?
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【简答题】要实现这么好的能量分辨率,势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题,有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢?
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【单选题】常规脉冲和微分脉冲极谱法的区别是()
A.
示差脉冲是加一个等振幅的脉冲电压,它扣除了直流电压引起背景电流的影响
B.
示差脉冲类似交流极谱,电容电流的影响较大
C.
常规脉冲极谱,电容电流的影响较小
D.
示差脉冲仅对常规脉冲的结果进行了数学上的微分处理
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【单选题】α粒子射程是()。
A.
50~90μm
B.
100~150μm
C.
150~200μm
D.
100~150nm
E.
50~90nm
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【简答题】增加金硅面垒探测器的反向电压,会有什么好处,又会有什么坏处?应该怎么选择反向电压的大小?好处是
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【简答题】试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱: (a)5MeV入射α粒子,探测器的耗尽深度大于α粒子的射程。 (b)5MeVα粒子,探测器的耗尽深度为α粒子射程之半。 (c)情况同(a),但5MeVα粒子已经经过一块吸收体,其厚度等于该物质中α射程的一半。
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【单选题】常规脉冲和微分脉冲极谱法的区别是:
A.
示差脉冲是加一个等振幅的脉冲电压, 它扣除了直流电压引起背景电流的影响
B.
示差脉冲类似交流极谱,电容电流的影响较大
C.
常规脉冲极谱,电容电流的影响较小
D.
示差脉冲仅对常规脉冲的结果进行了数学上的微分处理
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【判断题】在微分脉冲极谱法的电流-电压关系曲线中,其峰值所对应的电位就是经典极谱法中的半波电位。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】α粒子射程是()
A.
50~90μm
B.
100~150μm
C.
150~200μm
D.
100~150nm
E.
50~90nm
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【简答题】当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时,241Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件,使α粒子偏离法线35°角入射,此时,峰位移到449道,试求死层厚度(以α粒子粒子能量损失表示)。
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