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"面垒探测器"相关考试题目
1.
就统计学特性而言,PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题,一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少?
2.
Φ4×0.8mm金硅面垒探测器测α能谱时,当Eα=0时相应于零道,对241Am的5.486MeV的α粒子谱峰位于116道,如果重离子能量为21.00MeV谱峰被记录在402道,求脉冲幅度亏损是多少(已知前置放大器的输入电容为10PF)。
3.
影响金硅面垒探测器能量分辨力的主要因素有哪些?
4.
要实现这么好的能量分辨率,势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题,有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢?
5.
增加金硅面垒探测器的反向电压,会有什么好处,又会有什么坏处?应该怎么选择反向电压的大小?好处是
6.
增加金硅面垒探测器的反向电压,会有什么好处,又会有什么坏处?应该怎么选择反向电压的大小?好处是
7.
试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱: (a)5MeV入射α粒子,探测器的耗尽深度大于α粒子的射程。 (b)5MeVα粒子,探测器的耗尽深度为α粒子射程之半。 (c)情况同(a),但5MeVα粒子已经经过一块吸收体,其厚度等于该物质中α射程的一半。
8.
影响金硅面垒探测器能量分辨力的主要因素有哪些?
9.
要实现这么好的能量分辨率,势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题,有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢?
10.
当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时,241Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件,使α粒子偏离法线35°角入射,此时,峰位移到449道,试求死层厚度(以α粒子粒子能量损失表示)。
11.
要实现这么好的能量分辨率,势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题,有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢?
12.
增加金硅面垒探测器的反向电压,会有什么好处,又会有什么坏处?应该怎么选择反向电压的大小?好处是
13.
就统计学特性而言,PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题,一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少?
14.
就统计学特性而言,PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题,一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少?