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【判断题】

GCA假设由于没有考虑到靠近漏侧的能带弯曲引起的耗尽层延展,因此高估了靠近漏侧的反型层电子浓度。

A.
正确
B.
错误
题目标签：反型层电子浓度耗尽层
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【简答题】掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2x10^21个m,电阻率是1.6x10^－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是axbxc=0.5cmx0.2cmx0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm究度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
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【单选题】当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
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【单选题】在N型半导体中，自由电子浓度比空穴浓度（ ）
A.
低
B.
相等
C.
不确定
D.
高
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【单选题】当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
A.
大于，变宽
B.
小于，变窄
C.
大于，变窄
D.
小于，变宽
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【判断题】对于实际 的 MOSFET ,在 亚阈值区,反型层和漏源电流均不存在。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
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【简答题】[名词解释] 耗尽层宽度W
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【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N（E0F）与费密半径k0F的关系.
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【单选题】PN结正偏时，耗尽层（ ），扩散电流（ ）漂移电流。
A.
变宽；大于
B.
变宽；小于
C.
变窄；小于
D.
变窄；大于
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