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"反型层"相关考试题目
1.
进入强反型状态之后,理想MOS结构,反型层中的电荷面密度随着表面势增大而呈指数式增大。
2.
[名词解释] 反型层电荷
3.
n型沟道的MOSFET(即NMOS)中,沟道反型层出现使源漏电极导电,以下哪个描述不正确
4.
增强型NMOS管的反型层沟道是由（）组成的。
5.
对于增强型nmos，栅极电场把（ ）吸引到半导体表面，形成（ ）反型层，即导电沟道。
6.
反型层迁移率
7.
通常将开始形成反型层所需的VGS值称为（）电压。
8.
反型层实际上也就是电荷传输的通道,因此也称为沟道。P型半导体其反型层为电子构成,故称为N沟道。
9.
P型硅基片扩散时，常采用（ ）元素制备反型层。
10.
GCA假设由于没有考虑到靠近漏侧的能带弯曲引起的耗尽层延展,因此高估了靠近漏侧的反型层电子浓度。
11.
对于实际 的 MOSFET ,在 亚阈值区,反型层和漏源电流均不存在。
12.
深耗尽状态时，当Vs≥2VB时，也会产生反型层。
13.
判断下列说法是否正确，对者选“Yes”错者选“No”。（1）MOS管通过栅极和衬底间的垂直电场形成反型层，该反型层的与衬底的半导体类型相反，和漏极和源极的半导体类型相同。
14.
QG分为两部分:反型层电荷和( )。
15.
在MOSFET中，若衬底为p型，栅极加大的___电压时，形成n型反型层；若衬底为n型，栅极加大的___电压时，形成p型反型层。
16.
P 型硅基片扩散时,常采用( )元素制备反型层。
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反型层电荷
18.
反型层（或导电沟道）是衬底中的（ ）形成的。
19.
判断下列说法是否正确,对者选“Yes”错者选“No”。 MOS管通过栅极和衬底间的垂直电场形成反型层,该反型层的与衬底的半导体类型相反,和漏极和源极的半导体类型相同。
20.
反型层太阳电池的原理是（）
21.
关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?
22.
电荷耦合器件工作时会出现弱反型层和强反型层，这一现象和外加电压大小无关
23.
对于理想金属-氧化层-n型半导体结构，如果要求在半导体表面形成少子反型层，要求在金属端外加电压为( )
24.
MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。
25.
以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（）浓度迅速增加，形成反型层。
26.
P型硅基片扩散时，常采用（ ）元素制备反型层。
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反型层迁移率
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反型层电荷
29.
[名词解释] 反型层迁移率
