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【简答题】

请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序: a. 生成多晶硅 b. 确定阱的位置和大小 c. 定义扩散区,生成源漏区 d. 确定有源区的位置和大小 e. 确定接触孔位置 正确的顺序为:

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题目标签：多晶硅扩散区接触孔
参考答案：
参考解析：
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举一反三

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
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【单选题】超声场的未扩散区长度（   ）
A.
约等于近场区长度
B.
约等于近场区长度的0.6倍
C.
约等于近场区长度的1.6倍
D.
以上都有可能
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【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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【单选题】危险化学品仓库火灾扑救中，事故现场有有毒有害物质扩散时，在扩散区()选择进攻路线接近扩散区。
A.
上风、侧上风方向
B.
上风方向
C.
下风、侧上风方向
D.
下风方向
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【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
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【判断题】氨区现场应急处置原则：“救人第一”和“先控制”（控制扩散区域和中毒人员）、“后处置”（疏散救人、处置毒源）的原则。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】抢险救援事故现场有易燃易爆气体或有毒有害物质扩散时，消防车要选择上风方向或侧上风方向的适当位置停靠，使用下风方向的水源；在扩散区上风、侧上风方向选择进攻路线接近扩散区。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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【单选题】、 改良西门子法多晶硅制取不包括的主要工艺（ ）
A.
精馏
B.
提纯
C.
还原
D.
CDI
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【多选题】如果易燃化学品发生泄漏，在泄漏扩散区域内应该（）。
A.
禁止一切火种
B.
紧急情况下，可使用非防爆的通讯器材对外联系
C.
使用不产生火花的工器具
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