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【多选题】
硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？
A.
应再扩散 71min
B.
表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的 固溶度；
C.
应再扩散 31 min
D.
杂质 表面 浓度= N s
E.
杂质 表面 浓度< N s
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗