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【判断题】

重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等。

A.

正确

B.

错误

题目标签：电容器多晶硅重掺杂

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）

A.

利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒

B.

每一炉需要消耗一支坩埚

C.

有种晶、引细颈、放肩过程

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【判断题】多晶硅薄膜的电阻率比非晶硅和微晶硅薄膜的都要小。

A.

正确

B.

错误

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【简答题】无限大平行板电容器两个极板中间填充着相对介电常量为1.2的电介质。现将一个极板拉开，使两个极板间距变为原来间距的两倍，则平行板电容器的电容值变为原来的倍。（结果保留三位有效数字）

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【单选题】电容器上标注104J的J的含义为（）。

A.

±2%

B.

±10%

C.

±5%

D.

±15%

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【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

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【简答题】两个相同的空气电容器，电容都是900uF，分别充电到900V电压后切断电源，若把一个电容器浸入煤油中，（煤油的介电常数εr=2.0），再将两电容并联。（1）求一电容器浸入煤油过程中能量的损失；（2）求两电容器并联后的电压；（3）求并联过程中能量的损失。（4）问上述损失的能量到那里去了？

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【单选题】电力电容器在()情况下不应退出运行。

A.

功率因素从 0.99降到0.91

B.

电容器连接点严重过热

C.

电容器瓷绝缘表面闪络放电

D.

电容器外壳明显变形

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【单选题】电容器C1和C2串联后接在直流电路中，已知电容器C1容量是电容器C3的三倍，那么C1两端的电压是C2两端电压的（）。

A.

3倍

B.

1/3

C.

9倍

D.

1/9

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【简答题】（8分）面积S = 0.2m 2、n = 100匝的圆形线圈，处在如图所示的磁场内，磁感应强度随时间t变化的规律是B = 0.02t，R = 3Ω，C = 30μF，线圈电阻r = 1Ω，求：（1）通过R的电流大小和方向（2）电容器的电荷量。

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【单选题】一个空气平板电容器的板间距为d，极板面积为S，电容为C，两极板之间所加电压为U如果保持所加电源不变，使极板的间距扩大到10d，则电容为()

A.

10C

B.

C/10

C.

/11

D.

C

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【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。

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【单选题】并联电容器补偿的调压原理是（）

A.

降低线路阻抗

B.

提高功率因数减少通过线路的无功

C.

改变线路有无功潮流

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【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法

A.

沉积法

B.

直拉法

C.

区熔法

D.

三氯氢硅的氢还原法

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【多选题】电容器的保护动作中，需经检查后方可投入的有（）。

A.

过电压保护动作

B.

过流保护动作

C.

不平衡保护动作

D.

欠压保护动作

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【单选题】、改良西门子法多晶硅制取不包括的主要工艺（）

A.

精馏

B.

提纯

C.

还原

D.

CDI

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【单选题】多电容器（）计算公式为1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn。

A.

串联

B.

并联

C.

混联

D.

均联

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【简答题】“电容器接在直流电源上是没有电流通过的”这句话确切吗？试完整地说明。

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【简答题】电力电容器的结构如何？

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【简答题】版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定

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【单选题】耦合电容器关键点见证包括设备选材、（）制作、器身装配、真空浸渍、总装配等。

A.

电子元件

B.

电容元件

C.

电容芯子

D.

器身

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10C

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直拉法

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区熔法

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