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【判断题】

重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等。

A.
正确
B.
错误
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题目标签：电容器多晶硅重掺杂
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
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【单选题】电容器上标注104J的J的含义为（）。
A.
±2%
B.
±10%
C.
±5%
D.
±15%
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【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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【单选题】电容器C1和C2串联后接在直流电路中，已知电容器C1容量是电容器C3的三倍，那么C1两端的电压是C2两端电压的（）。
A.
3倍
B.
1/3
C.
9倍
D.
1/9
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【单选题】一个空气平板电容器的板间距为d，极板面积为S，电容为C，两极板之间所加电压为U如果保持所加电源不变，使极板的间距扩大到10d，则电容为()
A.
10C
B.
C/10
C.
/11
D.
C
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【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
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【单选题】多电容器（）计算公式为1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn。
A.
串联
B.
并联
C.
混联
D.
均联
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【简答题】“电容器接在直流电源上是没有电流通过的”这句话确切吗？试完整地说明。
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【简答题】电力电容器的结构如何？
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【单选题】耦合电容器关键点见证包括设备选材、（）制作、器身装配、真空浸渍、总装配等。
A.
电子元件
B.
电容元件
C.
电容芯子
D.
器身
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