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【判断题】
当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。
A.
正确
B.
错误
题目标签：
体内平衡
平衡多子
强反型
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【简答题】强反型
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【判断题】当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】体内平衡
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【判断题】PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】[名词解释] 强反型
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【判断题】PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】体内平衡不包括（ ）
A.
能量平衡
B.
物理平衡
C.
心血管平衡杆
D.
化学平衡
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【简答题】若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为 cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度 与平衡少子浓度 分别为( )cm-3 和( )cm-3 。(公式编辑器输入正确答案,答案参考格式 )
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【简答题】当MOSFET的衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡多子浓度之间时，MOSFET处于（ ）区。
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【判断题】扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。（ ）
A.
正确
B.
错误
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