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"平衡多子"相关考试题目
1.
当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时,称表面发生了强反型。
2.
PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
3.
PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
4.
若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为 cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度 与平衡少子浓度 分别为( )cm-3 和( )cm-3 。(公式编辑器输入正确答案,答案参考格式 )
5.
当MOSFET的衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡多子浓度之间时,MOSFET处于( )区。
6.
扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。( )