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【单选题】
③单晶硅的电子迁移率为
A.
0.5~1 cm2/V*s
B.
30~300 cm2/V*s
C.
600~700 cm2/V*s
D.
5~10 cm2/V*s
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极