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【多选题】
非晶硅技术的特点有（ ）？
A.
工艺成本低，制成的TFT器件性能稳定
B.
工艺温度低，适用于玻璃基板
C.
载流子迁移率大约为100 cm2v-1s-1
D.
适合制备大面积TFT阵列器件
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极