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"电子束光刻"相关考试题目
1.
电子束光刻可以通过提高加速电压得到波长很小的电子束，但由于其数值孔径NA太小，使得它的分辨率没法达到理想的电子束半波长
2.
根据曝光时所用的光源不同，光刻可分为光学光刻法，电子束光刻法，离子束光刻法和X射线光刻法。
3.
电子束光刻主要用于制作掩膜。()
4.
若实现14nm以下的工艺节点，用电子束光刻分辨率是可以达到，但是速度太慢无法满足量产的需要
5.
描述并比较接触式光刻、接近式、投影式、步进式和电子束光刻。
6.
电子束加工的应用，可以进行高速打孔、加工型孔及特殊表面、刻蚀、焊接、热处理和电子束光刻等。
7.
下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的？（）
8.
X射线光刻、电子束光刻和极紫外光刻技术均是通过减小光源波长来提高分辨率的先进光刻技术。
9.
电子束光刻不能制备10nm以下的结构器件。
10.
电子束光刻时利用电子束照射与光致抗蚀剂产生化学反应，是一种化学加工。 ( )
11.
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
12.
以下说法正确吗。Q4：MacEtch技术在刻蚀Si和GaN 的纳米结构的应用上， 能达到的最小的横向分辨率分别是多少？A4：我们可以用光刻（optical lithography），电子束光刻（EBL，e-beam lithography）甚至可以用扫描透射电子显微术（STEM， scanning transmission electron microscope）来沉积单个原子或者原子线图形，我们...
13.
与其他光刻技术相比,下列哪项不是电子束光刻的优点?
14.
电子束光刻主要用于制作掩膜。
15.
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
16.
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
