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"漏极电流"相关考试题目
1.
场效应管工作在横流区时，漏极电流与栅源电压成
2.
已知某MOS场效晶体管产生漏极电流的条件是该场效晶体管为( )。
3.
N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
4.
MOSFET的饱和区漏极电流 随 的增大而略有增大,是由于什么原因引起的:( )。
5.
JFET发生预夹断后，管子的漏极电流加大。
6.
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
7.
FET 依靠（ ）控制漏极电流íＤ的器件。
8.
工作中JFET源极电流等于漏极电流，这一电流（ ）。
9.
场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
10.
当场效应管工作在放大区.且栅源电压不变时,漏极电流具有( )特性。
11.
N 沟道 MOSFET涉及到（ ）的漂移作用，形成漏极电流。
12.
工作在恒流区的场效应管,低频跨导 与漏极电流I 成正比。
13.
电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=-1V，Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
14.
场效应管的漏极电流是由载流子的漂移运动形成,这种载流子是( )。
15.
场效应管的漏极电流是由少子的运动形成的。
16.
场效应晶体管是用( )控制漏极电流的。
17.
N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的,这种载流子是( )。
18.
N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
19.
场效应管的 g m 可根据漏极电流 i D 的表达式或转移特性求得。
20.
MOSFET的漏极电流是由 ______ 的漂移运动形成的。
21.
当栅源电压Vgs为 0V 时, _______MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
22.
输出特性曲线下图所示,恒流区uGS=10V时,漏极电流iD=( )mA
23.
场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是（ ）。
24.
FET是通过改变 ____ 来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个____ 器件 。
25.
当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（ ）。
26.
N 沟道MOS场效应管的漏极电流由 _______ 的漂移运动形成。
27.
当栅源电压为0V时,( )MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
28.
某场效应管的 I DSS 为 6mA , 漏极电流 i D 流出漏极 ,大小为 8mA ,则该管是耗尽型 PMOS 管。
29.
场效应管是利用漏源电压来控制漏极电流的。（ ）
30.
场效应管电流参数 I DSS 是 型 MOS 在 V GS 为 时的漏极电流 i D 。
31.
工作于恒流区的场效应管,低频跨导 与漏极电流 成正比。
32.
电力 MOSFET 的转移特性指漏极电流和栅源间电压的关系。
33.
工作中的结型场效应管(JFET)的漏极电流等于源极各电流,这一电流( )
34.
MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
35.
场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
36.
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
37.
场效应管是通过改变______来改变漏极电流的，因此是一个______。控制的______。
38.
MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。()
39.
N 沟道增强型 场效应管漏极电流由 _____ 的运动形成。
40.
场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成的。
41.
场效应晶体管中用 来 控制漏极电流的是()
42.
N沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线表示了漏极电流与漏源电压间的关系。
43.
工作中的JFET的漏极电流等于源极电流,这一电流( )
44.
测试电压条件不变，提高MOSFET漏区和源区的掺杂浓度，器件的漏极电流（ ）。
45.
场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。
46.
当N沟道增强型 MOS管工作在恒流区时，漏极电流iD的数学表达式为____。A. B. C. D.
47.
场效应管用( )控制漏极电流 A 、基极电压 B 、栅源电压 C 、基极电流 D 、栅极电流
48.
场效应管是用( ) 控制漏极电流的,因此属于( )控制型器件。
49.
场效应管是电压控制元件,栅源电压控制漏极电流
50.
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。
