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【单选题】

已知某MOS场效晶体管产生漏极电流的条件是 该场效晶体管为( )。

A.
E型NMOS管
B.
E型PMOS管
C.
D型NMOS管
D.
D型PMOS管
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题目标签：场效晶体管漏极电流晶体管
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】场效晶体管的控制方式为（）
A.
输入电流控制输出电压
B.
输入电压控制输出电压
C.
输入电压控制输出电流
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【单选题】晶体管∶电视机
A.
老鼠∶尾巴
B.
标题∶导语
C.
题目∶论文
D.
芙蓉∶荷花
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【多选题】晶体管按结构分,有()类型。
A.
NPN
B.
PPN
C.
NNP
D.
PNP
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【简答题】电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=-1V，Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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【判断题】工作于恒流区的场效应管,低频跨导 与漏极电流 成正比。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】电力 MOSFET 的转移特性指漏极电流和栅源间电压的关系。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
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【单选题】晶体管有( )型。
A.
NNP
B.
NPP
C.
PNP
D.
PPN
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【简答题】简述晶体管逆变器的分类？
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【单选题】下列（ ）不是二极管的主要参数 （晶体管）
A.
电流放大倍数
B.
最高反向工作电压
C.
反向漏电流
D.
死区电压
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