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【简答题】

场效应管用( )控制漏极电流 A 、基极电压 B 、栅源电压 C 、基极电流 D 、栅极电流

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题目标签：场效应管栅极电流漏极电流
参考答案：
参考解析：
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举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
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【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【判断题】电力 MOSFET 的转移特性指漏极电流和栅源间电压的关系。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
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【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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