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"硅棒"相关考试题目
1.
简述太阳能级多晶硅（棒状或块状）的企业标准。
2.
电子工业用直径＜7.5cm单晶硅棒
3.
由西门子法得到的多晶硅棒 , 因未掺杂等原因 , 不能直接用来制造太阳电池。
4.
由西门子法得到的多晶硅棒因未掺杂等原因,不能直接用来制造太阳能电池。
5.
磷检只要求在气氛下对硅棒进行一至二次区熔即可。
6.
以下工序:1.组件,2.硅片,3.单晶硅棒,4.光伏电站,5.冶金硅,6.石英矿石,7.电池,8.高纯多晶硅料,按照产业链从前往后的排列是: 。(按先后填写序号)
7.
还原炉产出硅棒的理想纯度至少为（）
8.
叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
9.
电子工业用直径≥30cm单晶硅棒
10.
光源包括镍铬合金丝、能斯特灯、碳硅棒光源、高温陶瓷光源、激光。其中以（）和（）最为常用
11.
硅棒定位杆组建不包括（）
12.
如果硅芯表面有氧化斑点，对生产硅棒有什么影响（）
13.
已知碳的分凝系数为 0.07 ,那么在单晶硅棒上其分布集中在( )。
14.
、 下列不属于硅棒表面异常的是（ ）
15.
单晶硅棒形成之后，我们首先需要对其进行掐头去尾和径向研磨。
16.
、 卸料作业时对硅棒应进行多少度吹扫
17.
硅棒切割时，Rock不须要摇摆。
18.
、 硅棒交接入库岗位由（ ）与（ ）完成的。
19.
含硅量>99.9999999%的太阳能级多晶硅,用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产。
20.
、 破碎作业时对硅棒应进行多少度吹扫
21.
叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
22.
掺有微量硼的单晶硅棒(硅含量99.999%)直径为5厘米,用于制造半导体元器件
23.
硅棒定位控制的速度选项有（）
24.
硅棒粘胶前须要去（）
25.
直径大于300mm的硅棒通常采用内圆切割,而小于200mm的硅棒则采用线锯切割。
26.
切割2400mm长的硅棒，每层线网的用线量为（）
27.
掺有微量硼的单晶硅棒(硅含量99．999%)，直径5厘米，用于制造半导体元器件
28.
采用切克劳斯基法制备的单晶硅棒,在靠近籽晶的地方,晶体截面呈多边形
29.
掺杂的单晶硅棒(纯度99.98%,直径30厘米,用于电子工业)
30.
、 浮动旋转截断机检查压缩空气压力，调整表压至（ ），表压的调整应依据硅棒旋转过程中既能压紧硅棒又能让硅棒上从动压轮自由浮动为准。
31.
、 还原车间将产品进行转序时，必须在硅棒运输车上详细填写本炉次的生产编号，并且在转序时必须将（ ）信息填写完毕。
32.
单晶硅棒和PN结的制造技术等，与（）以及（）等半导体制造技术有较多共同部分，且历史悠久，实际业绩突出。
33.
电子工业用直径＜7.5cm单晶硅棒
34.
在切割硅棒时，一般切割一根硅棒需要清洗离心机几次（）
35.
、 硅棒异常分为（ ）
36.
单晶硅棒的电阻率测量可采用（）法。
37.
单晶硅棒和PN结的制造技术等，与（）以及（）等半导体制造技术有较多共同部分，且历史悠久，实际业绩突出。
38.
、 运行还原炉内硅棒出现螺纹状，则需
39.
A bar of silicon is 4 cm long with a circular cross section. If the resistance of the bar is 240 Ω at room temperature, what is the cross-sectional radius of the bar? 室温下,截面为圆形的硅棒电阻为240Ω,那么硅棒的横截面积是? 提...
40.
对于单晶硅棒,需要进行检测的项目有( )
41.
、 正常多晶硅棒破碎后的分类有几种（ ）。
42.
电子工业用直径≥30cm单晶硅棒
43.
掺有微量硼的单晶硅棒(硅含量99．999%)，直径5厘米，用于制造半导体元器件
44.
单晶硅棒是由多晶硅制备而成的。
45.
布线前不用确认硅棒是否装载。
46.
、 样芯距离多晶硅棒的表面不低于（ ）mm
47.
、 检验棒样芯距离多晶硅棒的底部不低于( )mm
48.
单晶硅棒截断时主要异常有( )
