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"负载电容"相关考试题目
1.
CMOS反相器的负载电容 ,功耗电容 ,电源电压 ,输入矩形波的频率为1 MHz,则反相器的动态功耗为( )。
2.
CMOS反相器的负载电容【图片】，功耗电容【图片】，电源电压【图片】，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
3.
假设有两个处理器A和B，两者的负载电容比等于0.8、电压比等于0.9、工作频率比等于1.2，则两者的功耗比约是（ ）
4.
已知四2输入与非门74HCT00中每个门的功耗电容为20pF，VDD＝5V时的电源静态电流等于10μA。若每个门的负载电容均为100pF。输入信号频率为500kHz，试计算一片74HCT00所消耗的功率有多少。
5.
在图P3.8电路中，若CMOS反相器的电源电压V DD ＝5V，负载电容C L ＝100pF，静态电源电流为20μA。当输入为1MHz矩形波时测得电源电流的平均值为o.72mA，试求反相器功耗电容C pd 的数值。
6.
大信号包络检波器是利用二极管的单向导电性及检波负载电容的充放电过程来完成检波的。
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包络检波器输出波形出现的惰性失真现象，是由于检波器的负载电容和负载电阻的时间常数RC太大引起的。
8.
CPU的功耗包括动态功耗和静态功耗，其中动态功耗P取决于元器件的负载电容C、工作电压U和工作频率f，动态功耗的估算公式可以表示为：P=C×U×f
9.
一放大电路如图所示，其中和为负载电阻和负载电容。当增大的容量时，该放大电路的 ；
10.
CMOS反相器的电路如图2.3.2所示，反相器的输出端接有负载电容CL，已知VDD=10V，静态电流IDO=1μA，CL=60pF，输入信号为理想的矩形波，
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共集电路由于输出电阻特别小, 所以呈受容性负载能力最強, 且负载电容引入的上限频率。
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并联晶体振荡器的振荡频率由石英谐振器和负载电容决定。
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二极管峰值包络检波电路是利用二极管的单向导电性及检波负载电容的充放电过程来完成检波的。（ ）
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电阻型MOS倒相器开启的过程中负载电容C通过沟道电阻R放电;关断的过程中VDD通过RD对负载电容C充电.
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为测试负载电容对输出特性影响，在反相器输出和地之间接入负载电容，接入后输出信号的转换时间会（ ）。
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已知四2输入与非门74HCT00中每个门的功耗电容为20pF，V DD ＝5V时的电源静态电流等于10μA。若每个门的负载电容均为100pF。输入信号频率为500kHz，试计算一片74HCT00所消耗的功率有多少。
17.
四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍（指栅宽），且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容，试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。（设标准反相器的本征门延迟时间为）
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用预充电逻辑设计 画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电容CL=10fF.VDD=1V，试由下图输入信号画出的波形，并标出相应的电压值。
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在图3. 20(a)(教材图3.11)所示的二极管与门电路中,设D1、D2为理想二极管,试求:(1)输出端不接负载(S断开),输入UA=0V,UB=5V和UA=UB=5V两种情况时的UF(2)输出端接RL,输人UA=0V,UB=5V和UA=UB=5V两种情况时的UF;(3) 输出端接RL且考虑存在负载电容CL,在t=0时UA、UB从0跳变为+5V,求t≥0时的UF(t),写出表达式,画出波形。
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CMOS反相器的负载电容CL=100pF，功耗电容CPD=15pF，电源电压VDD=3.3V，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
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假设信源内阻为2kΩ，负载电容为1pF，希望获得一个450MHz带宽的放大器，要求放大器电压增益大于18dB，请设计该放大器。为了分析方便，假设NMOSFET的偏置是不变的，在该偏置下，有Cgs=220×10-15F，Csb=130×10-15F，Cgd=45×10-15F，Cdb=90×10-15F，rds=2kΩ，gm=12mS，gmb=1.8mS。
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共集电路由于输出电阻特别小, 所以呈受容性负载能力最強, 且负载电容引入的上限频率【图片】。【图片】
23.
交联电缆变频谐振交流耐压试验系统，对于一个固定电感L值，存在一个最大负载电容下的最小谐振频率值（）。
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假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。
25.
正常情况下，NDB的T型天线的等效负载电容一般应为200μF～1300μF。
26.
题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。
27.
有一电容负载式同轴线谐振腔，其内导体外直径为d=0．5 cm，外导体内直径为D=1．5 cm，终端负载电容为1 pF，如要求腔的谐振频率f r =3 GHz，试确定腔体尺寸。
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包络检波器输出波形出现的惰性失真现象，是由于检波器的负载电容和负载电阻的时间常数RC太大引起的。
29.
如图所示的为一反相器链。CL = 100Ci,第一级反相器为最小尺寸反相器,传输时间tp0=20 ps。负载电容由下一级反相器栅电容组成, 。对于两级反相器链,为得到最小的传输时间,相应的传输时间tp为多少?
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在晶体管翻转时的电流以及负载电容充放电造成功率消耗是（）
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反相器的延时只取决它的外部负载电容与输入电容间的比值。
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二极管峰值包络检波器用于解调（）信号。假设原电路工作正常，若负载电容C加大，会引起（）失真；若调制度m大于1，会引起（）失真。
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一放大电路如图所示，其中和为负载电阻和负载电容。（1）当增大的容量时，该放大电路的 ；
34.
正常情况下，NDB的T型天线的等效负载电容一般应为200μF～1300μF。
35.
如图所示的检波器，开始电路工作正常。当增大负载电容C时，有可能引起（），当调制度ma增大时，有可能引起（）
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TS为负载电容每变化1PF时FL的变化量，或者简称牵引量。他的单位是？ ()
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如图所示的检波器，开始电路工作正常。当增大负载电容C时，有可能引起，当调制度 Ma增大时，有可能引起（ ）。
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如果负载电容大, 则需加射随器隔离(即采用共射--共集级联), 有助于总频带展宽。
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大信号包络检波器是利用二极管的单向导电性及检波负载电容的充放电过程来完成检波的。
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共射与共基放大器电路如下图, 由于输出电路相同, 故由负载电容引入的上限频率相同, 且【图片】【图片】
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谐振器和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚,是为了减少输出失真和启动时的稳定时间。
42.
在图8．2．17的相位鉴频器中，如果负载电容C3选得很大，足以旁路调制频率，这对电路的正常工作有何影响?若C3选择合适，试画出加在检波二极管上的电压波形。
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共射与共基放大器电路如下图, 由于输出电路相同, 故由负载电容引入的上限频率相同, 且
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已知某CMOS反相器电源电压VDD=10V,静态电源电流IDD=4μA,负载电容CL=200pF,功耗电容CPD=20pF。输入信号为理想矩形波,重复频率为f=500kHz,则该电路静态功耗PS和动态功耗PD分别为( )
45.
如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。
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如图所示二极管检波电路中，已知二极管的导通电阻，rd=80Ω，二极管死区电压Uj=0V，检波负载电阻R=5kΩ，输入信号电压ui（t）为。试求： （1）检波器电压输入系数Kd （2）电压uA； （3）保证输出波形不产生惰性失真时的最大负载电容C？
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如图所示的为反相器链。第一级反相器为最小尺寸,传播延迟为70ps,Cin=10fF。负载电容CL=10pf。负载电容由下一级反相器栅电容组成, 。若反相器链的级数为N级。为求得反相器链的最小传播延时,求扇出系数f,级数N。Log3.6=0.56
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二极管峰值包络检波器用于解调 AM 信号。假设原电路工作正常,若加大负载电容 C ,则可能会引起( )失真。
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如图所示二极管检波电路中，已知二极管的导通电阻，rd=80Ω，二极管死区电压Uj=0V，检波负载电阻R=5kΩ，输入信号电压ui（t）为。试求： （1）检波器电压输入系数Kd （2）电压uA； （3）保证输出波形不产生惰性失真时的最大负载电容C？
50.
假设信源内阻为2kΩ，负载电容为1pF，希望获得一个450MHz带宽的放大器，要求放大器电压增益大于18dB，请设计该放大器。为了分析方便，假设NMOSFET的偏置是不变的，在该偏置下，有C gs =220×10 -15 F，C sb =130×10 -15 F，C gd =45×10 -15 F，C db =90×10 -15 F，r ds =2kΩ，g m =12mS，g mb =1.8mS。
