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【判断题】

电阻型MOS倒相器开启的过程中负载电容C通过沟道电阻R放电;关断的过程中VDD通过RD对负载电容C充电.

A.

正确

B.

错误

题目标签：负载电容电阻型倒相器

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【单选题】CMOS反相器的负载电容 ,功耗电容 ,电源电压 ,输入矩形波的频率为1 MHz,则反相器的动态功耗为( )。

A.

1.09mW

B.

1.09W

C.

1.3mW

D.

1.3W

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【单选题】CMOS反相器的负载电容【图片】，功耗电容【图片】，电源电压【图片】，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为。

A.

1.3 W

B.

1.09 W

C.

1.09 mW

D.

1.3 mW

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【简答题】电阻型气敏器件为什么都附有加热器？

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【单选题】在权电阻型D/A转换器中（）。( 1 分)

A.

输出端需接由运放构成的跟随器

B.

每个权电阻都接在相应的开关上

C.

相邻电阻的比值都是2倍的关系

D.

相邻电阻的比值都不是2倍的关系

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【简答题】四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍（指栅宽），且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容，试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。（设标准反相器的本征门延迟时间为）

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【单选题】CMOS反相器的负载电容CL=100pF，功耗电容CPD=15pF，电源电压VDD=3.3V，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为。

A.

1.3 mW

B.

1.3 W

C.

1.09 W

D.

1.09 mW

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【简答题】假设信源内阻为2kΩ，负载电容为1pF，希望获得一个450MHz带宽的放大器，要求放大器电压增益大于18dB，请设计该放大器。为了分析方便，假设NMOSFET的偏置是不变的，在该偏置下，有Cgs=220×10-15F，Csb=130×10-15F，Cgd=45×10-15F，Cdb=90×10-15F，rds=2kΩ，gm=12mS，gmb=1.8mS。

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【判断题】正常情况下，NDB的T型天线的等效负载电容一般应为200μF～1300μF。

A.

正确

B.

错误

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【单选题】以下各项中不是CMOS倒相器的特点的是（）。

A.

无论导通态还是截止态，静态功耗都很小

B.

两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小

C.

在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗

D.

开关时间短，可以迅速完成状态转换

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【单选题】共射与共基放大器电路如下图, 由于输出电路相同, 故由负载电容引入的上限频率相同, 且

A.

正确

B.

错误

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