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【简答题】

​在晶体管翻转时的电流以及负载电容充放电造成功率消耗是（）

题目标签：功率消耗负载电容晶体管
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】晶体管∶电视机
A.
老鼠∶尾巴
B.
标题∶导语
C.
题目∶论文
D.
芙蓉∶荷花
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【多选题】晶体管按结构分,有()类型。
A.
NPN
B.
PPN
C.
NNP
D.
PNP
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【多选题】晶体管的运用有( )。
A.
开关回路
B.
电压限制
C.
电子点火
D.
启动回路
E.
定时回路
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【判断题】正常情况下，NDB的T型天线的等效负载电容一般应为200μF～1300μF。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】Jack S. Kilby, an electrical engineer whose invention of the integrated circuit gave rise to the information age and heralded an explosion of consumer electronics products in the last 50 years, from p...
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【单选题】晶体管有( )型。
A.
NNP
B.
NPP
C.
PNP
D.
PPN
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【简答题】开炼机的功率消耗主要与那些因素有关系?
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【单选题】共射与共基放大器电路如下图, 由于输出电路相同, 故由负载电容引入的上限频率相同, 且
A.
正确
B.
错误
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【单选题】已知某CMOS反相器电源电压VDD=10V,静态电源电流IDD=4μA,负载电容CL=200pF,功耗电容CPD=20pF。输入信号为理想矩形波,重复频率为f=500kHz,则该电路静态功耗PS和动态功耗PD分别为( )
A.
0.04mW,1.1mW
B.
0.04mW,11mW
C.
0.4mW,1.1mW
D.
0.04mW,1.1mW
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【单选题】下列（ ）不是二极管的主要参数 （晶体管）
A.
电流放大倍数
B.
最高反向工作电压
C.
反向漏电流
D.
死区电压
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