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"反型"相关考试题目
1.
为什么将接触器互锁的正反转控制线路称之为“正停反”型?( )
2.
P型半导体发生强反型的条件（）
3.
强反型
4.
以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时，其表面空间电荷是负的
5.
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（ ）
6.
增强型PMOS晶体管的阈值电压_____0，发生强反型时的VGS应该_____0。（填写>或<号）
7.
MIS结构的表面发生强反型时，若增加杂质浓度，其开启电压将（）。
8.
反型异质结
9.
[名词解释] 反型异质结
10.
用靠模法磨削成形面，靠模工作型面是与工件型面完全吻合的反型面。
11.
反型尖晶石结构Zn0.2Mn0.8Fe2O4的单位体积饱和磁矩为（ ）
12.
界面临界强反型的定义是界面少子的浓度与体内多子浓度( )。
13.
阈值反型点
14.
低频下,MOS器件在强积累或强反型状态,电容是偏压的函数
15.
阈值电压指MOS结构恰好达到强反型时所对应的栅电压
16.
在雷达径向速度图上，暖平流时零值等风速线呈（）型，冷平流时呈反（）型。
17.
临界反型
18.
双人造型可分为高低型造型、正反型造型、技巧类造型。
19.
当半导体的表面势略大于其费米势时，开始进入强反型状态
20.
[名词解释] 阈值反型点
21.
衬底掺杂浓度NA越高，Vs越大，越易达到强反型。
22.
界面临界强反型的定义是界面少子的浓度与体内多子浓度( )。
23.
MIS 结构的表面发生强反型时,若增加掺杂浓度,其阈值电压将( )。
24.
P型半导体发生强反型的条件（）。
25.
[名词解释] 强反型
26.
弱反型
27.
指出处方中的反型乳化剂(W/O型)
28.
指出处方中的反型乳化剂(W/O型)
29.
反型异质结
30.
指出处方中的反型乳化剂(W/O型)
31.
单反型号的系数（ ）。
32.
低频下,MOS器件在耗尽或弱反型专态,电容是偏压的函数
33.
阈值反型点
34.
反型异质结
35.
MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是()。(VS为半导体表面电势;qVB=Ei－EF)
36.
[名词解释] 弱反型
37.
在雷达径向速度图上，暖平流时零值等风速线呈（）型，冷平流时呈反（）型。
38.
临界反型
39.
当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算下列组成的磁矩：CdzFe3O4。（ ）
40.
MOS结构的阈值电压对应的是半导体表面恰好达到反型的栅电压
41.
弱反型
42.
健美操双人造型包括高低型造型、正反型造型和( )。
43.
在MOS结构高频C-V测试中,强反型时MOS结构的电容C应等于______。
44.
指出处方中的反型乳化剂(W/O型)
45.
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时,有（ ）。
46.
不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？
47.
MOS电容的CV曲线中反型后归一化电容C/Cox保持水平时的频率（ ）。
