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【判断题】

以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时，其表面空间电荷是负的

A.

正确

B.

错误

题目标签：反型强反型空间电荷

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【判断题】PN结的空间电荷区既有载流子的漂移运动,又有扩散运动。

A.

正确

B.

错误

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【简答题】界面临界强反型的定义是界面少子的浓度与体内多子浓度( )。

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【单选题】PN结加正向电压是,空间电荷区将______。

A.

变窄

B.

基本不变

C.

变宽

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【简答题】X线机空间电荷抵偿器的作用是什么？

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【简答题】何谓空间电荷？陶瓷中产生空间电荷的原因有哪些？

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【单选题】P N 结加适量反向电压时,空间电荷区将( ) 。

A.

变宽

B.

变窄

C.

不变

D.

消失

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【单选题】PN结形成后，空间电荷区由( )构成。

A.

空穴

B.

价电子

C.

自由电子

D.

杂质离子

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【多选题】pn 结的空间电荷区中,多子的扩散使( )。

A.

p 区带正电

B.

p区带负电

C.

n 区带正电

D.

n 区带负电

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【单选题】空间电荷低偿变压器好坏的判断及调整方法，哪组是错误的？（）

A.

测量初级和次级线圈间的电阻约100Ω

B.

初级留的空线柱为调整时用的

C.

次级留的空线柱为调整时用的

D.

当管电流受电压的影响时，可以调整空间电荷抵偿变压的初线线柱

E.

当管电流受电压的变化时，可以调整空间电荷抵偿变压的次级线柱

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【简答题】PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。

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