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【判断题】

P型半导体的多子是空穴,所以P型半导体带正电。

A.
正确
B.
错误
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参考答案:
参考解析:
.
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举一反三

【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )

A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管

【单选题】在P型半导体中_______。

A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

【单选题】P型半导体靠()导电

A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子

【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。

A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作

【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。

A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)

【多选题】金属和半导体接触分包括:( )

A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触

【单选题】P型半导体的多子是

A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子

【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。

A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致

【单选题】‍ ‍ 选择题: ‍ ‍ 半导体中的空穴是 。

A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子

【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。

A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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半导体激光器
B.
光电二极管
C.
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D.
雪崩光电二极管
【单选题】在P型半导体中_______。
A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
【单选题】P型半导体靠()导电
A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
【单选题】‍ ‍ 选择题: ‍ ‍ 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率