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【判断题】

同型异质结的结区两侧都为耗尽区。

A.
正确
B.
错误
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题目标签:耗尽区异质结
参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】异质结的超注入现象是指?

A.
在异质 pn 结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
B.
在异质 pn 结中, 由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。
C.
在异质 pn 结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
D.
在异质 pn 结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。

【单选题】二极管在正向偏置条件下,势垒 ,耗尽区的宽度 。

A.
升高;变窄。
B.
升高;变宽。
C.
降低;变窄。
D.
降低;变宽。