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举一反三
【单选题】某反应的活化能为150.5 kJ • mol-1,引入催化剂后反应的活化能降低至112.2 kJ • mo1-1,若反应的温度为100 K,则反应速率增加的倍数约为（ ）
A.
1 x 10 22
B.
1 x 10 21
C.
1 x 1 0 20
D.
1 x 10 19
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动，它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动，运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
相关题目：
【判断题】催化剂对正逆反应的速率影响是一样的。
A.
正确
B.
错误
【判断题】半导体中的空穴芾正电。（）
A.
正确
B.
错误
【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
【多选题】关于重整催化剂轻微硫中毒的处理，下列操作正确的是()。
A.
减少注氯
B.
重整各反降至480℃
C.
反应提温
D.
增加注氯量
【单选题】在外电场的作用下，空穴与自由电子运动形成的电流方向（）。
A.
相同
B.
相反
【单选题】某反应的活化能为150.5 kJ • mol-1,引入催化剂后反应的活化能降低至112.2 kJ • mo1-1,若反应的温度为100 K,则反应速率增加的倍数约为（ ）
A.
1 x 10 22
B.
1 x 10 21
C.
1 x 1 0 20
D.
1 x 10 19
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动，它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动，运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。（ ）
A.
正确
B.
错误
【判断题】干法脱硫铁钼催化剂在进行上述的都是主反应无副反应。
A.
正确
B.
错误
【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？
A.
正确
B.
错误
【多选题】催化剂能够改变化学反应速率,而本身在反应前后,其()等均保持不变
A.
质量
B.
学组成
C.
化学性质
D.
温度
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率