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【单选题】
546液压系统产生空穴现象,()不会对系统造成危害。
A.
会使液压元件表面产生腐蚀,降低使用寿命
B.
会使系统中的橡胶密封件早期老化,造成油液泄漏
C.
会使系统出现流量与压力波动,造成执行元件产生间隔性的抖动
D.
会破坏系统液体流动的连续性,影响油泵的流量,降低油泵的工作寿命
题目标签:
空穴
生空
液压系统
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
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【填空题】为使液压炮正常运转,在液压系统装有()溢流阀。
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
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【单选题】再生空气冷却器的管程设计压力为()MPa。
A.
1
B.
0.4
C.
1.5
D.
2
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【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
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【单选题】液压油(),液压系统发生故障的主要原因。
A.
温升过高
B.
黏度太小
C.
黏度太大
D.
受到污染
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【单选题】液压系统中的执行部分是指()。
A.
液压泵
B.
液压缸
C.
各种控制阀
D.
输油管、油箱等
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【单选题】有利于兴奋发生空间总和的中枢神经元联系方式是( )。
A.
辐散
B.
聚合
C.
环状
D.
链索状
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【单选题】船舶舵机转舵若产生空舵现象,其主要原因是()。
A.
储存弹簧预紧力不足
B.
电机转速不够
C.
舵叶负荷太小
D.
操舵系统油路漏油与系统中积有空气
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【简答题】SSC、R转轮除湿机再生空气过多的原因是什么?
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【多选题】产生空调制冷时室内机漏水的原因是()。
A.
室内机低于穿墙孔
B.
排水管缠绕挤扁
C.
排水管破裂
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【单选题】辊压停机后液压系统要()。
A.
卸压
B.
加压
C.
维持稳定
D.
其他
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】再生空气冷却器的管程设计压力为()MPa。
A.
1
B.
0.4
C.
1.5
D.
2
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A.
温升过高
B.
黏度太小
C.
黏度太大
D.
受到污染
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A.
液压泵
B.
液压缸
C.
各种控制阀
D.
输油管、油箱等
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A.
辐散
B.
聚合
C.
环状
D.
链索状
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A.
储存弹簧预紧力不足
B.
电机转速不够
C.
舵叶负荷太小
D.
操舵系统油路漏油与系统中积有空气
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A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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A.
Yes
B.
No
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【多选题】产生空调制冷时室内机漏水的原因是()。
A.
室内机低于穿墙孔
B.
排水管缠绕挤扁
C.
排水管破裂
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【单选题】辊压停机后液压系统要()。
A.
卸压
B.
加压
C.
维持稳定
D.
其他
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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