已知N沟道增强型MOSFET的μn=1 000cm2／V.s，Cox=3×10-8F／cm2，W／l=1／1．47，|VA|=200 V，VDS=10 V，工作在饱和区，试求： (1)漏极电流IDQ分别为1 mA、10 mA时相应的跨导gm，输出电阻rds放大因子μ。 (2)当VDS增加10％时，相应的IDQ值。 (3)画出小信号电路模型。