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举一反三
【多选题】四探针法测量电阻率的测准条件包括______。
A.
样品的几何尺寸必须近似满足半无限大
B.
测量区域的电阻率应是均匀的
C.
四根探针应处于同一平面的同一条直线上
D.
四探针与试样应有良好的欧姆接触
E.
小注人弱电场情况下进行测量
F.
电流在测量期间应保持恒定
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【单选题】以下哪个不是四探针法测试时双配置的优点：
A.
探针可以朝向任何方向
B.
不需要侧面尺寸
C.
自校正探头间距的变化
D.
不需要进行配置
【判断题】导线的方块电阻跟工艺有关,跟导线的尺寸无关
A.
正确
B.
错误
【判断题】方块电阻大时,电池片总的串联电阻也随之增大。
A.
正确
B.
错误
【单选题】方块电阻的测量方法是
A.
四探针法
B.
热探针法
C.
磨角染色法
D.
滚槽法
【判断题】若扩散方块电阻不均匀则应检查炉管密封性、源瓶余量及源瓶温度。
A.
正确
B.
错误
【判断题】四探针法测硅晶体导电类型的原理是温差电动势法。
A.
正确
B.
错误
【多选题】整管方块电阻太低原因（）。
A.
沉积时间过长
B.
沉积温度过高
C.
推进时间太长
D.
推进温度太高
【判断题】冷热探针法可以检测硅片的导电类型（ ）
A.
正确
B.
错误
【判断题】方阻的测试方法有铜棒法和四探针法。
A.
正确
B.
错误
【判断题】影响方块电阻的因素是：时间、温度、小氮流量。
A.
正确
B.
错误
【判断题】扩散方块电阻控制在47-52Ω/□之间。
A.
正确
B.
错误
【多选题】四探针法测量电阻率的测准条件包括______。
A.
样品的几何尺寸必须近似满足半无限大
B.
测量区域的电阻率应是均匀的
C.
四根探针应处于同一平面的同一条直线上
D.
四探针与试样应有良好的欧姆接触
E.
小注人弱电场情况下进行测量
F.
电流在测量期间应保持恒定
【判断题】所有多晶电阻不管图形如何变化，其方块电阻阻值都不变。
A.
正确
B.
错误
【判断题】方块电阻与方块的尺寸有关，也与方块的结深有关。
A.
正确
B.
错误