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"方块电阻"相关考试题目
1.
测量电阻率和方块电阻的方法包括：
2.
方块电阻与电阻率（ ）关系。
3.
测量方块电阻修正因子值是多少?
4.
方块电阻（薄层电阻）
5.
导线的方块电阻跟工艺有关,跟导线的尺寸无关
6.
方块电阻的大小与方块的大小无关,只与扩散薄层的材料(电阻率)及扩散的深度(结深)有关。
7.
方块电阻大时,电池片总的串联电阻也随之增大。
8.
方块电阻的测量方法是
9.
扩散浓度小,方块电阻大。
10.
方块电阻与方块的尺寸无关，只与结深有关。
11.
若扩散方块电阻不均匀则应检查炉管密封性、源瓶余量及源瓶温度。
12.
设硼扩散方块电阻 R S =200 Ω / □ ,现有一硼扩散电阻 R=2k ,其中该电阻条宽 W=10 μ m 试计算电阻的条长 L = μ m 。
13.
方块电阻与薄膜材料导电性的描述，正确的是（ ）。
14.
整管方块电阻太低原因（）。
15.
方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越（），反之，电阻越（）。
16.
若要降低透明导电玻璃的方块电阻，应：
17.
方块电阻增大时,电池片的并联电阻将会稍微增大。
18.
方块电阻与电阻率（ ）关系。
19.
方块电阻的电阻值越低越好( )
20.
什么是方块电阻？
21.
方块电阻的含义是什么？
22.
采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。
23.
测试硅片方块电阻用（）仪器
24.
方块电阻所表达的工艺指标是（ ）
25.
均匀掺杂材料中,方块电阻的单位是Ω/□
26.
同等规格的方块电阻参数N阱的方块电阻参数大于多晶硅的。
27.
同一炉扩散方块电阻不均匀度≤20%,同一硅片扩散方块电阻不均匀度≤10%。
28.
方块电阻的测量方法有:
29.
假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm，该层的厚度为1μm计算该材料的方块电阻值。
30.
通磷源扩散过程中，增加大氮流量，方块电阻会
31.
扩散分布中方块电阻的主要测量方法是
32.
均匀参杂材料中,方块电阻的单位是 欧姆/方块。
33.
扩散后硅片刻蚀后方块电阻会上升。
34.
影响方块电阻的因素是：时间、温度、小氮流量。
35.
扩散方块电阻控制在47-52Ω/□之间。
36.
方块电阻的测量通常釆用________________。
37.
结深相同时，方块电阻越小，表面浓度越高。
38.
在一个一般的制程中,下列材料集成电阻,方块电阻( Sheet Resistance )最大的是( )
39.
单纯增加扩散温度，方块电阻会（）
40.
检测方块电阻用到______________仪器,测试时扩散面向______________。
41.
扩散方块电阻不均匀度______________,同一硅片扩散方块电阻不均匀度______________。
42.
下列选项中,能够测试方块电阻的方法是:
43.
所有多晶电阻不管图形如何变化，其方块电阻阻值都不变。
44.
方块电阻与方块的尺寸有关，也与方块的结深有关。
45.
在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（Sheet Resistance）最大的是（）
46.
简述四探针法测定方块电阻的方法。
47.
方块电阻的测量方法是
48.
方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越（）。
49.
四探针测量方块电阻是利用以下哪一条原理进行测量?
50.
某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（ ）。
