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【简答题】
高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？
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题目标签：
迁移率
晶体管
电子迁移率
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集成电路技术综合练习题库
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】晶体管∶电视机
A.
老鼠∶尾巴
B.
标题∶导语
C.
题目∶论文
D.
芙蓉∶荷花
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【多选题】晶体管按结构分,有()类型。
A.
NPN
B.
PPN
C.
NNP
D.
PNP
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【简答题】什么是大气离子迁移率？
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【单选题】电解质溶质的迁移率是（）下的泳动速度。
A.
单位时间
B.
单位溶质质量
C.
单位电场强度
D.
单位静电引力
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【判断题】电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】泳动度（迁移率）
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【单选题】晶体管有( )型。
A.
NNP
B.
NPP
C.
PNP
D.
PPN
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【简答题】设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
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【多选题】影响电泳迁移率的因素有
A.
待分离生物大分子的性质
B.
支持介质的筛孔
C.
电渗
D.
电场强度
E.
粒子的净电荷缓冲液的性质
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【单选题】离子的电迁移率即离子淌度与以下因素无关的是 ( ) 。
A.
离子半径
B.
温度
C.
浓度
D.
电场梯度
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