现有一块掺杂浓度N D =10 16 cm 2 的n-Ge的样品，其厚度d＞＞L p ，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10 -3 W/cm 2 的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10 -3 s，电子迁移率μ n =2800cm 2 /(V·s)，空穴迁移率μ p =700cm 2 /(V·s)，普朗克常数h=6.6×10 -34 J·s，光速C=3×10 10 cm/s(如图所示)。 试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压V x 。