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【简答题】
设电子迁移率为0.1cm
2
/V.s，硅的电子有效质量m
cn
=0.26m
0
，如加以强度为10
4
V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。
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题目标签：
自由程
平均自由程
电子迁移率
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【简答题】氢气在1.0atm，15°时的平均自由程为1.18×10-7m，求氢分子的有效直径。
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【判断题】平均自由程与分子数密度成反比。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】无线电收音机所用真空管的真空度约为1.33×10 -3 Pa,在27°C 时分子的平均自由程为 。(设分子的有效直径d=3×10 -10 m)
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【判断题】电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】当气体分子的平均自由程大于泄露通道的特征尺寸时为分子流。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】金属材料的电子迁移率很高,所以金属材料更适宜于制作霍尔元件
A.
正确
B.
错误
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【简答题】设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
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【简答题】由实验测得在标准状态下氦气的黏度为η=1.89×10-5Pa.s，求平均自由程度
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【判断题】平均自由程就是各个分子在两次碰撞间走过的路程。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】非晶体的平均自由程几乎在所有温度范围内近似为常数。（ ）
A.
正确
B.
错误
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