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【简答题】

已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDss=0.5mA,试求Ucs=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。提示:对式(1.6.3)求导数,可得 。

题目标签：耗尽型夹断电压漏极电流
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【判断题】结型场效应管均为耗尽型。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。​
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【判断题】结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压
A.
正确
B.
错误
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【单选题】N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
A.
空穴
B.
电子
C.
电子和空穴
D.
正离子
E.
负离子
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【判断题】电力 MOSFET 的转移特性指漏极电流和栅源间电压的关系。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
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【简答题】场效应管是通过改变______来改变漏极电流的，因此是一个______。控制的______。
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【判断题】场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下述哪一项是P沟道结型场效应管的夹断电压（）。
A.
正 
B.
负 
C.
零 
D.
正负均可 
E.
CD选项均对
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