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【简答题】

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为：


价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

题目标签：晶格常数一维晶格电子跃迁
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的是:( )
A.
s→s*
B.
n→s*
C.
p→p*
D.
n→p*
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【简答题】在常温下，已知铁的原子直径d=0.254nm，铜的原子直径d=0.255nm，求铁和铜的晶格常数。
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【简答题】一维晶格的布里渊区( )相等
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【单选题】晶格常数常用（）表示。
A.
a，b，c
B.
α，β，γ
C.
a，b，c和α，β，γ
D.
都不是
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【多选题】电子跃迁类型有以下哪几种？（）
A.
→*
B.
n→*
C.
→*
D.
n→*
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【简答题】设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为： 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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【判断题】分子中能吸收紫外光或可见光的结构系统叫做发色团或色基。C=C、C=O、C≡C等都是发色团。发色团的结构不同,电子跃迁类型也不同。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的为：（）
A.
→*
B.
n→*
C.
→*
D.
n→*
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【单选题】电子跃迁产生的光谱为:【 】
A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
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【单选题】能产生π→π*电子跃迁的结构类型是
A.
饱和烃的C-C
B.
孤立双键或共轭双键
C.
含-NO2结构
D.
含C＝O结构
E.
含-X基因
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