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【单选题】

关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CDe充放电对发射效率g的影响,下列说法中正确的是

A.
C Te 和C De 对 g 都有显著影响
B.
C Te 和C De 对 g 都几乎无影响
C.
C Te 对 g 有显著影响,C De 对 g 几乎无影响
D.
C Te 对 g 几乎无影响,C De 对 g 有显著影响。
题目标签：发射结扩散电容发射效率
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【简答题】三极管工作在放大区时,必须满足发射结为( ) ,集电结为( )的偏置条件。
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【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
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【单选题】电路如图所示, , , kΩ,输出电压的调节范围是(),忽略三极管发射结导通压降。
A.
6~9V
B.
0~6V
C.
3~12V
D.
6~12V
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【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
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【简答题】温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时, β , ,正向发射结电压 , 。
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【单选题】温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
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【单选题】丙类高频谐振功放电路中，静态时，发射结是负偏置，也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
B.
小
C.
等
D.
不确定
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【判断题】晶体三极管工作在饱和状态时，发射结反偏。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
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